ECH8652
--6
ID -- VDS
--10
ID -- VGS
VDS= --6V
--9
--5
--8
--4
V GS= --
1.5V
--7
--6
--3
--2
--1
0
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
100
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT12947
Ta=25°C
80
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT12948
90
80
70
= --1.8
= --0.5
70
60
--3.0A
--1.5A
60
50
V GS
V, I D
A
--1.5
V, I D=
V GS=
, I D= --
= --4.5V
50
40
30
ID= --0.5A
40
30
20
V GS
--2.5
A
3.0A
20
10
0
10
0
0
--2
--4
--6
--8
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
5
3
2
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
VDS= --6V
IT12949
--10
7
5
3
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT12950
VGS=0V
10
2
=-
5 °
7
5
3
2
1.0
7
Ta
-2
C
75
° C
--1.0
7
5
3
2
--0.1
° C
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
25
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
0.001
--0.001 2 3
5 7 --0.01 2 3
5 7 --0.1
2 3
5 7 --1.0
2 3
5 7 --10
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
1000
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT12951
VDD= --6V
VGS= --4.5V
3
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT12952
f=1MHz
3
2
1000
Ciss
100
7
5
3
td(off)
tf
7
5
3
Coss
2
tr
2
C rs s
td(on)
10
7
100
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
Drain Current, ID -- A
IT12953
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT12954
No. A0935-3/7
相关PDF资料
ECH8653-TL-H MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A ECH8
ECH8655R-TL-H MOSFET N-CH DUAL 24V 9A ECH8
ECH8656-TL-H MOSFET N-CH 20V 7.5A ECH8
ECH8657-TL-H MOSFET N-CH DUAL 35V 4.5A ECH8
ECH8659-TL-H MOSFET N-CH DUAL 30V 7A ECH8
ECH8660-TL-H MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8
ECH8661-TL-H MOSFET N/P-CH 30V 7A ECH8
ECH8662-TL-H MOSFET N-CH DUAL 40V 6.5A ECH8
相关代理商/技术参数
ECH8653 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
ECH8653_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ECH8653-S-TL-H 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH+NCH 4V DRIVE SERIES - Tape and Reel
ECH8653-TL-H 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ECH8654 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
ECH8654_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ECH8655R 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications